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全國首臺(tái)是德科技keysight針對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體器件SiC/GaN MOSFET的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)——PD1500A日前在芯派科技測(cè)試應(yīng)用中心調(diào)試完成，正式投入使用。

由于GaN MOSFET開關(guān)速度快，對(duì)動(dòng)態(tài)測(cè)試測(cè)試系統(tǒng)寄生電感控制、測(cè)試帶寬、器件連接方式等都要求非常高，測(cè)試過程中電流和電壓波形非常容易產(chǎn)生強(qiáng)烈的振蕩而影響到測(cè)試結(jié)果，甚至造成測(cè)試器件損壞，因此第三方實(shí)驗(yàn)室極少能夠提供針對(duì)GaN MOSFET的動(dòng)態(tài)特性測(cè)試服務(wù)。

先睹為快，我們先看一下基于PD1500A GaN MOSFET動(dòng)態(tài)測(cè)試結(jié)果，測(cè)試器件來自于某國產(chǎn)廠家QFN8*8封裝，規(guī)格為650V 20A。雙脈沖測(cè)試波形和開關(guān)特性測(cè)試結(jié)果如下圖，測(cè)試條件為Vds=400V， Ids=10A，溫度=125℃，雙脈沖波形中CH1：驅(qū)動(dòng)電流（黃）；CH2：DS電流（綠）；CH3：驅(qū)動(dòng)電壓（藍(lán)）；CH4：DS電壓（紅）。得益于Kesyight專利技術(shù)，GaN雙脈沖驅(qū)動(dòng)板主功率回路寄生電感僅為3.5nH左右 （包括器件連接以及電流采樣帶來的寄生電感），該測(cè)試波形非常理想，幾乎沒有振蕩。

是德科技Keysight PD1500A功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

1. 寄生電感小，能可靠可重復(fù)的測(cè)量寬禁帶（SiC/GaN）功率器件動(dòng)態(tài)特征

2. 測(cè)量包括開關(guān)特性、反向恢復(fù)、動(dòng)態(tài)電阻、柵極電荷等動(dòng)態(tài)特性指標(biāo)

3. 智能化軟件控制，根據(jù)IEC和JEDEC標(biāo)準(zhǔn)要求自動(dòng)分析測(cè)試結(jié)果，并且能夠提供循環(huán)測(cè)試、電流電壓步進(jìn)測(cè)試以及自動(dòng)高溫測(cè)試等

4. 同時(shí)滿足被測(cè)器件和用戶對(duì)測(cè)試環(huán)境的要求

5. 模塊化平臺(tái)可擴(kuò)展、可升級(jí)，能夠?qū)λ泄β势骷M(jìn)行測(cè)試

PD1500A可以滿足SiC/GaN器件的所有動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試

GaN MOSFET測(cè)試

GaN調(diào)試使用國產(chǎn)廠家主流封裝QFN8*8器件，該器件大量使用在手機(jī)快充上，規(guī)格為650V/20A，如下圖所示，測(cè)試設(shè)定為Vds=400V，Ids=10A，Vgs=-1~6V，溫度分別測(cè)試55℃和125℃。

同時(shí)動(dòng)態(tài)高溫自動(dòng)測(cè)試功能也很強(qiáng)大，可以極大的提高測(cè)試效率，同時(shí)保證了系統(tǒng)設(shè)置的準(zhǔn)確性。

測(cè)試情況：

SiC調(diào)試：

整套測(cè)試系統(tǒng)寄生參數(shù)優(yōu)化較好，開通開關(guān)時(shí)震蕩輕微，尖峰也被抑制在一個(gè)較低的水平，測(cè)試結(jié)果與廠家規(guī)范非常接近，測(cè)試結(jié)果理想。

西安芯派功率器件測(cè)試應(yīng)用中心成立于2011年，占地面積4500平方米，擁有國際先進(jìn)的儀器設(shè)備300余臺(tái)，五十余名經(jīng)驗(yàn)豐富的工程師為各類客戶提供專業(yè)測(cè)試服務(wù)，聘請(qǐng)十余名國內(nèi)高校教授和行業(yè)資深專家，為中心提供高水平的技術(shù)支持。中心在2012年獲得了國家CNAS&國際ILAC認(rèn)可，也是目前國內(nèi)針對(duì)功率器件測(cè)試能力最完備的檢測(cè)中心，具備第三方檢測(cè)資質(zhì)。在此之前實(shí)驗(yàn)室已全面滿足包括硅器件和硅模塊等器件及模塊全參數(shù)的測(cè)試需求，具備車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體器件AECQ101認(rèn)證能力。此次PD1500A投入使用，使得芯派科技測(cè)試應(yīng)用中心車規(guī)級(jí)器件的認(rèn)證能力拓展至第三代半導(dǎo)體（碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN) ）領(lǐng)域。

誠摯歡迎同行們來測(cè)試應(yīng)用中心開展各類半導(dǎo)體器件測(cè)試！